信息摘要：
概念: 電力電子器件，又稱電力半導體器件，主要應用于電力設備的功率轉換和控制電路中(通常指電流在幾萬到幾萬a，電壓在幾百伏特以上)。 設備開發: 電源器件幾乎應用于所有電子...
概念:
電(dian)力電(dian)子(zi)器(qi)件，又稱電(dian)力半導體器(qi)件，主要應用(yong)于電(dian)力設備的功(gong)率轉換(huan)和控制電(dian)路中(zhong)(通常指電(dian)流在幾(ji)萬到幾(ji)萬a，電(dian)壓在幾(ji)百伏特以上)。
設備開發:
電源器(qi)(qi)件(jian)幾乎應用于(yu)所有電子(zi)制(zhi)造行業(ye)，包括(kuo)筆記(ji)本、PC、服務(wu)器(qi)(qi)、顯示器(qi)(qi)和計算(suan)機領域的(de)各種外設;網絡通信領域的(de)手機、電話機等(deng)終端及辦公設備(bei);傳統的(de)黑白家用電器(qi)(qi)和消費電子(zi)領域的(de)各種數(shu)碼產品;工(gong)業(ye)PC、工(gong)業(ye)控制(zhi)類(lei)的(de)各種儀器(qi)(qi)和控制(zhi)設備(bei)。
電源裝(zhuang)置在保(bao)證這些裝(zhuang)置正常運行的(de)同(tong)時，也能(neng)(neng)起到有效的(de)節能(neng)(neng)作(zuo)用。由于(yu)電子產品需求的(de)不斷(duan)增(zeng)加和(he)能(neng)(neng)源效率的(de)要(yao)求，中國的(de)電力(li)設備(bei)市場保(bao)持了快速(su)的(de)發展(zhan)速(su)度。
分(fen)類:
根據控(kong)制(zhi)電(dian)路信號對電(dian)力電(dian)子設備的控(kong)制(zhi)程度:
1. 半控制(zhi)器件，如晶(jing)閘管;
2. 全(quan)控制器(qi)件，如GTO、GTR、power MOSFET、IGBT;
3.不可控(kong)裝置，如功(gong)率二極管。
根據驅動(dong)電路在控制端與電力電子設(she)備公用(yong)端之間所(suo)加信號的性質(zhi)，將信號分為(wei)以(yi)下幾種:
1. 電(dian)壓驅(qu)動器件，如IGBT、功(gong)率MOSFET、Sith(靜電(dian)感應晶閘管);
2. 電流驅動裝置，如晶閘管，GTO, GTR。
根據電力電子設備控制端與共用端之間的(de)有效信號波形，驅動電路可分為以下幾種
1. 脈沖觸發(fa)，如晶閘管和GTO;
2. 電(dian)子控制類型，如(ru)GTR, powermosfet, IGBT。
根據電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子器件中電(dian)(dian)子和空穴參(can)與導電(dian)(dian)的情況進(jin)行分(fen)類
1. 雙(shuang)極器件，如(ru)功(gong)率二極管(guan)、晶閘管(guan)、GTO和GTR;
2. 單(dan)極(ji)器件，如(ru)功率mosfet、sit、肖特(te)基(ji)勢壘二極(ji)管;
3.復合(he)器件，如MCT (MOS控制晶閘管)、IGBT、Sith和(he)IGCT。
設備的優(you)點(dian)和缺(que)點(dian):
功率二(er)極管:結構原理簡單(dan)，工作可靠;
晶(jing)閘管:所(suo)有器(qi)件(jian)的耐壓和電(dian)流(liu)容量高
IGBT:開關(guan)速度(du)快(kuai)，開關(guan)損耗小，能承受(shou)脈(mo)沖電(dian)(dian)流(liu)沖擊，通態壓降低(di)，輸(shu)入阻抗高，電(dian)(dian)壓驅(qu)動，低(di)驅(qu)動功率(lv);缺點:開關(guan)速度(du)低(di)于功率(lv)MOSFET，電(dian)(dian)壓電(dian)(dian)流(liu)容(rong)量小于GTO
GTR:耐壓高、電(dian)(dian)流大(da)、開(kai)關特性好(hao)、載流能力強(qiang)、飽和電(dian)(dian)壓低;缺點:開(kai)關速度低、電(dian)(dian)流驅動、驅動功率大(da)、驅動電(dian)(dian)路復雜、二(er)次擊穿(chuan)
GTO:電(dian)壓電(dian)流(liu)容量大(da)，適(shi)用于大(da)功率場合，具有電(dian)導(dao)調制效果，電(dian)流(liu)容量大(da);缺(que)點:電(dian)流(liu)關斷增益很小，門極負脈沖電(dian)流(liu)大(da)，開關速(su)度低，驅(qu)動功率大(da)，驅(qu)動電(dian)路(lu)復雜(za)，開關頻率低
功率MOSFET:開(kai)關速度快，輸入(ru)阻抗高，熱穩定性好，驅動(dong)功率小(xiao)(xiao)(xiao)，驅動(dong)電路簡(jian)單，工作頻率高，無二次(ci)擊(ji)穿問題;缺點:電流容量小(xiao)(xiao)(xiao)，耐壓(ya)能力低，一般適用于功率小(xiao)(xiao)(xiao)于10kW的電力電子設備。
限制條件(jian):耐壓、電流容量(liang)、開(kai)關速度
