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IGBT作為一種新型電力電子器件，被公認為第三大電力電子器件。廣泛應用于工業、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天、國防軍工等行業，以及軌道交通、新能源、智能...
IGBT作為一種新型電(dian)力電(dian)子(zi)器件(jian)，被公認為第三大電(dian)力電(dian)子(zi)器件(jian)。廣(guang)泛應用(yong)于(yu)工業(ye)、4C(通(tong)信、計(ji)算機、消費電(dian)子(zi)、汽車電(dian)子(zi))、航(hang)(hang)空航(hang)(hang)天、國防軍工等(deng)(deng)行業(ye)，以及軌(gui)道交(jiao)通(tong)、新能源、智能電(dian)網、新能源汽車等(deng)(deng)戰(zhan)略性新興(xing)產業(ye)。
隨著IGBT下游新能(neng)源(yuan)(yuan)汽(qi)車、新能(neng)源(yuan)(yuan)發(fa)電等(deng)領域的(de)(de)(de)快速發(fa)展，對IGBT模塊的(de)(de)(de)需求(qiu)也(ye)在逐步擴大。新興產業(ye)的(de)(de)(de)加速發(fa)展將繼(ji)續推動IGBT市(shi)場的(de)(de)(de)高速增長。除(chu)了國(guo)內對IGBT替(ti)代品(pin)的(de)(de)(de)需求(qiu)，我們預計(ji)a股市(shi)場將誕(dan)生一批值得長期投(tou)資的(de)(de)(de)企業(ye)。
1、IGBT:功率(lv)半導體皇冠上的明珠(zhu)
絕緣(yuan)柵(zha)雙極晶體管(IGBT)是一種新型的電力電子器件。
IGBT在電(dian)力電(dian)子行業被稱為(wei)“CPU”，也被稱為(wei)電(dian)力半導體皇冠上的(de)明珠。盡管(guan)IGBT組成的(de)一個復合電(dian)力半導體器(qi)件是機器(qi)和(he)MOSFET、IGBT具有開關(guan)速度高、高輸入(ru)阻抗、小功率控(kong)制(zhi),簡單的(de)MOSFET驅動電(dian)路和(he)低開關(guan)損耗,和(he)傳導的(de)優勢低電(dian)壓,大開態電(dian)流和(he)低損耗的(de)是機器(qi)。因此，IGBT是電(dian)力電(dian)子領域一種理想(xiang)的(de)開關(guan)器(qi)件，也是未(wei)來應用(yong)和(he)發(fa)展的(de)主要方向。
IGBT作(zuo)為(wei)(wei)一種(zhong)新(xin)型(xing)電力電子器(qi)件，被公認為(wei)(wei)第(di)三大電力電子器(qi)件。結(jie)合中國工業信(xin)息網絡(luo)作(zuo)為(wei)(wei)新(xin)的(de)功率(lv)半(ban)導體器(qi)件的(de)主流設備,IGBT已廣泛應用于(yu)工業、4 c(通信(xin)、計(ji)算(suan)機(ji)、消費電子、汽車電子)、航空航天、國防和軍事工業,以及戰略性新(xin)興產(chan)業,如(ru)軌道交(jiao)通、新(xin)能源、智能電網、新(xin)能源車輛。
據(ju)(ju)悉，IGBT模塊(kuai)是新(xin)能(neng)源汽車(che)電(dian)控(kong)系統和直流充(chong)電(dian)樁(zhuang)的(de)核心部件，其(qi)成本約占整(zheng)車(che)成本的(de)10%，占充(chong)電(dian)樁(zhuang)成本的(de)20%。新(xin)能(neng)源汽車(che)的(de)爆炸式(shi)發(fa)展(動(dong)(dong)力模塊(kuai))極大的(de)推動(dong)(dong)了(le)IGBT市場(chang)的(de)發(fa)展。根據(ju)(ju)國家發(fa)改委發(fa)布的(de)《電(dian)動(dong)(dong)汽車(che)充(chong)電(dian)基礎(chu)設施發(fa)展指導(dao)意見(2015-2020年(nian))》，到2020年(nian)，國內(nei)充(chong)電(dian)站(zhan)數(shu)量(liang)將(jiang)(jiang)達到12000個，分散的(de)充(chong)電(dian)樁(zhuang)數(shu)量(liang)將(jiang)(jiang)超過(guo)480萬個。2020年(nian)，國內(nei)新(xin)能(neng)源汽車(che)充(chong)電(dian)樁(zhuang)(站(zhan))直接市場(chang)規(gui)模預計達到1320億(yi)元(yuan)。今年(nian)3月，充(chong)電(dian)樁(zhuang)與(yu)5g、數(shu)據(ju)(ju)中心一起被納入新(xin)的(de)基礎(chu)設施發(fa)展計劃，這必將(jiang)(jiang)加(jia)速(su)該行業的(de)發(fa)展。充(chong)電(dian)樁(zhuang)市場(chang)的(de)快(kuai)速(su)發(fa)展也將(jiang)(jiang)推動(dong)(dong)IGBT等半導(dao)體功(gong)率(lv)器件的(de)需求快(kuai)速(su)增(zeng)長(chang)。
此外，軌道(dao)交通、配(pei)電網(wang)建設、直流輸電、工(gong)業(ye)控(kong)制(zhi)等都將為IGBT提供(gong)巨大的(de)需求市場。據中國產業(ye)信息網(wang)預測，到2020年(nian)，國內IGBT市場規模將超過200億元。
2、IGBT市場由歐(ou)美(mei)壟斷(duan)，國內替代迫在眉睫(jie)
目前(qian)全球(qiu)(qiu)IGBT市(shi)場(chang)(chang)主(zhu)要由英飛凌、三菱電機、富士電機、安森和abb占據(ju)(ju)，根據(ju)(ju)中國工業信息網的(de)數據(ju)(ju)，全球(qiu)(qiu)前(qian)五大IGBT制造商的(de)市(shi)場(chang)(chang)份額為74%。與此(ci)同時，從400V及(ji)以下(xia)的(de)傳(chuan)統(tong)IGBT市(shi)場(chang)(chang)到4500V以上的(de)IGBT市(shi)場(chang)(chang)，海外廠(chang)商IGBT產品的(de)市(shi)場(chang)(chang)地位十分明顯。
在國(guo)內(nei)IGBT市場(chang)，國(guo)外廠家也(ye)占據了(le)50%以上的市場(chang)份額，國(guo)內(nei)替代(dai)空間很大。為了(le)使IGBT模塊(kuai)國(guo)產(chan)化，實現“獨立控制”，需要完成IGBT模塊(kuai)和(he)IGBT芯片的進口替代(dai)。
目(mu)前，IGBT國產化已成(cheng)為國家(jia)半導體器件開(kai)發(fa)(fa)之一，IGBT也被列為國家(jia)“02專(zhuan)項”扶持(chi)項目(mu)，相關行業已進入快速發(fa)(fa)展階段。
在市場(chang)需(xu)求的吸引下(xia)，一批(pi)有IGBT相關經(jing)驗的海外華人回國(guo)(guo)加入了(le)IGBT行業。與此(ci)同時，大(da)量的國(guo)(guo)家資金(jin)流入了(le)IGBT行業。我國(guo)(guo)IGBT產業化水平得到(dao)了(le)一定程度(du)的提高(gao)，部分企業已實現(xian)規模化生產。
