信息摘要：
在電子元器件中，功率半導體主要用作開關和整流器。它們也是半導體材料，如硅、砷化鎵和氮化硅。它們是通過電氣性能調整等一系列過程獲得的電氣元件。功率半導體被廣泛應用，...
在電(dian)(dian)子元器件(jian)中(zhong)，功率半導體(ti)主(zhu)要用作開關(guan)和(he)整(zheng)流(liu)器。它(ta)們(men)也是半導體(ti)材料，如硅、砷化鎵和(he)氮(dan)化硅。它(ta)們(men)是通(tong)過電(dian)(dian)氣性能(neng)調整(zheng)等一系(xi)列過程獲得的(de)(de)電(dian)(dian)氣元件(jian)。功率半導體(ti)被廣泛應用，從(cong)幾十毫(hao)瓦的(de)(de)耳機(ji)放大(da)系(xi)統到(dao)(dao)千兆瓦的(de)(de)高壓直(zhi)流(liu)傳輸;從(cong)儲(chu)能(neng)、家電(dian)(dian)，到(dao)(dao)it產品、網絡通(tong)信，只(zhi)要涉(she)及到(dao)(dao)電(dian)(dian)力領域，它(ta)就存在。
功率半(ban)導(dao)體器件的分類
從開(kai)發過程中,功(gong)(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)器件經(jing)歷:傳統的(de)(de)晶(jing)閘管,盛行于(yu)1960年代和1970年代,功(gong)(gong)率(lv)MOSFET及其相關(guan)設備在過去(qu)的(de)(de)二(er)十(shi)年里(li),開(kai)發和高(gao)功(gong)(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)器件由前(qian)兩個(ge)類型的(de)(de)設備,分別代表電力半導(dao)體(ti)器件技術(shu)發展過程的(de)(de)不(bu)同時(shi)期(qi)。
一般來說，功(gong)率(lv)半導體(ti)器(qi)件(jian)分為三類:功(gong)率(lv)模(mo)塊、功(gong)率(lv)集(ji)成電(dian)路和(he)分立器(qi)件(jian)。其中，功(gong)率(lv)模(mo)塊為多個(ge)離散(san)功(gong)率(lv)半導體(ti)器(qi)件(jian)的模(mo)塊化封裝;電(dian)源IC集(ji)成了離散(san)電(dian)源半導體(ti)器(qi)件(jian)和(he)驅動/控(kong)制(zhi)/保護/接口(kou)/監(jian)控(kong)等外(wai)圍電(dian)路;而分立功(gong)率(lv)半導體(ti)器(qi)件(jian)是功(gong)率(lv)模(mo)塊和(he)功(gong)率(lv)集(ji)成電(dian)路的關鍵。
功(gong)率半導(dao)體器件按電路信號(hao)可(ke)(ke)控程(cheng)度可(ke)(ke)分為全控制型(xing)(xing)、半控制型(xing)(xing)和(he)不(bu)可(ke)(ke)控型(xing)(xing);根(gen)據驅動(dong)電路信號(hao)的性(xing)質也可(ke)(ke)分為電壓驅動(dong)型(xing)(xing)和(he)電流驅動(dong)型(xing)(xing)。
常用的功(gong)率半導體器(qi)件有(you)功(gong)率二極管、可控硅(gui)(SCR)、GTO、GTR、BJT、MOSFET、IGBT、sit、BSIT、Sith和MCT等，其(qi)中包括晶(jing)閘管、IGCT、IEGT、IPEM、PEBB等。
不同(tong)(tong)的功率半(ban)導體(ti)器件(jian)具有不同(tong)(tong)的耐壓、電流容量(liang)、阻抗容量(liang)和體(ti)積尺寸(cun)等特(te)性。根(gen)據不同(tong)(tong)領域的實際需要。
隨(sui)著技術的不(bu)斷(duan)進步，電(dian)力半導(dao)(dao)體器(qi)(qi)件也在不(bu)斷(duan)演進。自20世紀80年代以來，功率(lv)半導(dao)(dao)體器(qi)(qi)件MOSFET、IGBT和功率(lv)集成(cheng)電(dian)路逐漸成(cheng)為主流應(ying)用類型。
市(shi)場(chang)結構
電力(li)半(ban)導體(ti)制(zhi)(zhi)造商大(da)多(duo)采用IDM模(mo)式(shi)。他們(men)有完整的晶(jing)圓工廠(chang)(chang)、芯(xin)片制(zhi)(zhi)造商和(he)包裝(zhuang)工廠(chang)(chang)。垂直(zhi)整合(he)優勢明顯，成本和(he)質量控(kong)制(zhi)(zhi)能(neng)力(li)強。歐美電力(li)半(ban)導體(ti)廠(chang)(chang)商多(duo)為(wei)(wei)IDM機型，以產(chan)品為(wei)(wei)主。中國大(da)陸(lu)的制(zhi)(zhi)造商大(da)多(duo)也是(shi)IDM機型，主要(yao)產(chan)品為(wei)(wei)低端二極管和(he)低壓MOSFET，實力(li)較弱。中國臺灣主要(yao)是(shi)無(wu)廠(chang)(chang)模(mo)式(shi)，主要(yao)負責芯(xin)片制(zhi)(zhi)造和(he)封裝(zhuang)。
從供應方面來看，全球電(dian)力半(ban)導(dao)體(ti)的(de)(de)主要(yao)生產地區集(ji)中(zhong)在(zai)歐洲、美國(guo)和日本，占據了全球電(dian)力半(ban)導(dao)體(ti)的(de)(de)大(da)部分市(shi)場(chang)份額(e)。二是臺灣(wan)，目前占全球市(shi)場(chang)份額(e)的(de)(de)10%。中(zhong)國(guo)大(da)陸主要(yao)采用二極管、低壓(ya)MOSFET、晶(jing)閘管等(deng)低端功率半(ban)導(dao)體(ti)。目前，它(ta)實力薄弱，占世(shi)界市(shi)場(chang)份額(e)的(de)(de)10%。
從需求方面來(lai)看(kan)，中國(guo)(guo)是全球(qiu)的電(dian)(dian)力(li)半導體消費國(guo)(guo)。數據顯示(shi)，中國(guo)(guo)電(dian)(dian)力(li)半導體市(shi)場占全球(qiu)市(shi)場的39%。由(you)此看(kan)來(lai)，中國(guo)(guo)大陸的電(dian)(dian)源(yuan)半導體供需矛盾(dun)嚴重，國(guo)(guo)內(nei)市(shi)場以(yi)低端產品(pin)為主，國(guo)(guo)內(nei)電(dian)(dian)源(yuan)替代缺口(kou)巨大。隨著(zhu)新(xin)領域(yu)的應用越來(lai)越多，歐美產品(pin)升(sheng)級(ji)產業向中國(guo)(guo)轉移，國(guo)(guo)內(nei)市(shi)場將有很(hen)大的增長空間。
